Peces de titani per a semiconductors

1. Control ultra-d'alliberament d'impureses

Adoptem un esquema de processament d'eines ceràmiques + eines-sense ferro durant tot el procés de producció. Tots els materials auxiliars en contacte amb la peça de treball se sotmeten a tres rondes de purificació de rentat àcid, controlant estrictament que el contingut total de ferro, crom, etc. estigui dins del 0,02%. Això evita completament el problema comú de contaminació d'ions metàl·lics en els processos de semiconductors i evita la formació de residus metàl·lics excessius a la superfície de l'hòstia. Redueix el risc de curtcircuit del circuit des del costat del material.

 

2. Resistència a la corrosió-a llarg termini

Després de formar la peça, patirà dues concentracions diferents d'immersió en solució oxidant feble per a la passivació. Es generarà una pel·lícula protectora uniforme de diòxid de titani de 8-10 nm de gruix a la superfície. Fins i tot quan s'exposa a solucions mixtes d'àcid fluorhídric i àcid nítric diluïts en el procés de neteja de semiconductors durant 2.000 hores contínues, no hi haurà despreniment de picades i no hi haurà residus que ratllin la superfície de l'hòstia.

 

3. Estabilitat dimensional d'alta-precisió

Durant el processament, tot el procés utilitza un esprai de nitrogen líquid per a un control constant de la temperatura, controlant la deformació generada durant el processament en 0,003 mm. Abans de sortir de la fàbrica, els productes acabats se sotmeten a proves de cicle d'alta i baixa temperatura de 24 hores. Fins i tot quan es treballa en un entorn de procés de semiconductors a 180 graus durant molt de temps, no hi haurà cap bloqueig de deformació ni cap enganxament de deformació. No cal desmuntar i ajustar freqüentment la precisió d'alineació.

 

4. Baixa taxa d'escapament adequada per a l'entorn de buit

Totes les peces es sotmeten primer a una cocció al buit de 120 graus durant 48 hores per al tractament de desgasificació. El vapor d'aigua i les petites partícules adsorbides a la superfície s'eliminen completament. Després d'instal·lar-se a la cambra de buit de semiconductors, pot ajudar l'equip a assolir el grau de buit objectiu un 25% més ràpid que l'ús de peces d'acer inoxidable normals, reduint la pèrdua de temps d'espera per al bombeig de buit.

1. Safata d'hòsties per a màquina de deposició de vapor PVD

S'utilitza per suportar l'hòstia de silici que cal recobrir. En l'entorn d'alta temperatura-de la polsada de material objectiu, la part de titani no reaccionarà amb el gas de polver i no alliberarà l'excés d'impureses a la cambra, cosa que pot millorar la uniformitat de la capa de pel·lícula metàl·lica dipositada a la superfície de l'hòstia en un 5%, evitant el problema de fuites de xips causades per un gruix insuficient de la capa metàl·lica. És adequat per a requisits de producció de recobriment de 28 nm i processos inferiors.

 

2. Bastidor d'hòsties per a màquina de neteja humida

En el procés de neteja estàndard RCA, el bastidor està completament immers en solucions de neteja àcids forts i àlcalis forts. El material de titani no es corroirà i produirà restes, i no s'adherirà a la superfície de l'hòstia per provocar contaminació per partícules. Pot reduir en un 12% la taxa de defectes de partícules de la neteja d'hòsties d'un sol lot. Al mateix temps, la característica lleugera del bastidor també pot reduir la càrrega de transmissió de la màquina de neteja i reduir el consum d'energia de l'equip.

 

3. Seient de fixació d'elèctrodes per a màquina d'implantació iònica

S'utilitza per fixar els elèctrodes{0}}d'alta tensió de la màquina. La propietat no magnètica del titani no interferirà amb la trajectòria del feix d'ions, permetent que la desviació de profunditat de la implantació d'ions es controli dins d'un rang molt reduït, evitant el problema de la dosi d'injecció desigual a l'àrea local de l'hòstia. Millora significativament la consistència del rendiment elèctric del xip.

 

4. Brida del connector per a la canonada de buit de semiconductors

Connexió de diferents trams de la canonada de buit de la màquina. La baixa taxa d'escapament del titani pot mantenir un alt-entorn de buit net dins de la canonada i no provocarà fluctuacions en el grau de buit a causa de l'alliberament de gas de les brides d'acer inoxidable normals després d'un ús-a llarg termini. Redueix el nombre d'alarmes d'aturada de la màquina activades per anomalies del buit i augmenta el temps de funcionament continu de la línia de producció en un 30%.

1. Personalització de dimensions no-estàndards

Amb el nostre propi centre de mecanitzat de 5 eixos, la longitud, l'amplada i l'alçada de les peces es poden ajustar segons l'espai d'instal·lació dels equips de semiconductors existents del client. No cal que el client modifiqui la interfície de l'equip i la primera mostra es pot lliurar en 7 dies.

 

2. Personalització de l'estat de la superfície

Es poden seleccionar dos mètodes de tractament de superfícies segons la demanda: poliment de mirall i poliment de sorra mat. Són adequats per a diferents requisits de neteja del procés de fabricació i poden evitar l'adhesió de partícules que afecten l'entorn de producció de semiconductors.

 

3. Personalització d'interfícies especials

Les estructures especials, com ara les ranures especials per a targetes i els forats de posicionament, es poden personalitzar per adaptar-se completament als requisits de muntatge de l'equip-desenvolupat per el client. No cal afegir components d'adaptador addicionals.

Item	Especificació
Nom del producte	Peces de titani per a semiconductors
Material	Titani pur (grau 2), aliatge de titani (grau 5 Ti-6Al-4V)
Procés de fabricació	Mecanitzat CNC, tornejat, fresat, rectificat, soldadura
Formes disponibles	Placa, anell, tub, vareta, bloc, peces personalitzades
Dimensions	Personalitzat segons dibuixos o mostres
Tolerància	Fins a ±0,01 mm
Acabat superficial	Polit, sorra, decapat, anoditzat, mecanitzat amb precisió
Rugositat superficial	Ra 0,2–1,6 μm (disponible personalitzat)
Puresa	Fins al 99,6% (titani de grau 2)
Temperatura de funcionament	Fins a 400 graus
Densitat	4,51 g/cm³
Duresa	Grau 2: HB 145–200; Grau 5: HRC 30–36
Resistència a la corrosió	Excel·lent resistència als àcids, àlcalis i productes químics de procés
Compatibilitat química	Adequat per a productes químics semiconductors i entorns d'ultra{0}}puresa
Inspecció	Inspecció dimensional, certificació de materials, inspecció de superfícies

 

 

 

Etiquetes populars: peces de titani per a semiconductors, peces de titani de la Xina per a fabricants de semiconductors, proveïdors, fàbrica